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ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管
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ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
型号:ASE50N06
品牌:ASEMI
封装:TO-252
批号:最新
最大漏源电流:50A
漏源击穿电压:60V
RDS(ON)Max:15m
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~175℃
备受欢迎的ASE50N06 MOS管
ASEMI品牌ASE50N06是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE50N06的最大漏源电流50A,漏源击穿电压60V.
?细节体现差距
ASE50N06,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
ASE50N06具体参数为:最大漏源电流:50A,漏源击穿电压:60V,反向恢复时间: ns,封装:TO-252
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